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Inhaltsangabe: Zusammenfassung: In der vorliegenden Arbeit wurde ein Prozess entwickelt, der es erlaubt, die Versetzungsdichten in Si/SiGe;
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What seems routine today was not always so. The field of Si-based heterostructures rests solidly on the shoulders of materials scientists;
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SiGe HBT BiCMOS technology is the obvious groundbreaker of the Si heterostructures application space. To date virtually every major player;
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SiGe HBTs are the most mature of the Si heterostructure devices and not surprisingly the most completely researched and discussed in the;
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coverage of Si and Ge bipolar transistors. Written with the practising engineer in mind, this book explains the operating principles and;
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Thermoelektrischer Transport Und Struktureigenschaften Von Dunnen Sb2te3-Schichten Bei Der Prozessvariation in Der Atomlagenabscheidung;
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Dunne Schichten von transparenten oder halbtransparenten Materialien spielen eine wichtige Rolle in unserem Leben. So wird einerseits eine;
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Herstellung, PrA1/4fung, das VerschleiAverhalten, Berechnungsmethoden, Konstruktion und die Herstellung von Verbunden werden ebenso behandelt wie das;
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advanced MEMS devices An exploration of epitaxial poly Si surface micromachining, including process condition of epi-poly Si, and MEMS devices;
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Nanostructured silicon-germanium (SiGe) opens up the prospects of novel and enhanced electronic devi;...
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/4nnschichtanalyse sowie die Automatisierung von Vakuumbeschichtungsanlagen.;
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optics; single quantum dot spectroscopy; charge and spin; Si/Ge quantum dot structures; bio-quantum dots; electric force microscopy and charge;
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Im Rahmen dieser Arbeit wurde ein Niedertemperatur Sol-Gel Verfahren zur Beschichtung von Silizium und Edelstahl mit;
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Gelegenheit geben, durch Anschauung von Abbildungen Belehrung und würdige Unterhaltung zugleich zu finden. Nachdruck der Originalausgabe von 1897.;
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This book provides readers a thorough understanding of the applicability of new-generation silicon-g;...
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related to doping of semiconductors (Si, SiGe and Ge) for device fabrication, and explores areas for single-gate as well as multi-gate devices;
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An excellent introduction to the SiGe BiCMOS technology, from the underlying device physics to curre;...
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verschiedene Anwendungen von Interesse. Beispielhaft genannt seien hier die sogenannten TCO-Schichten (transparent conductive oxide), die nicht zuletzt;
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Performance Prediction of a Future Sige Hbt Technology Using a Heterogeneous Set of Simulation Tools;...
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von namhaften Autorinnen und Autoren diskutiert. Beispiele erfolgsversprechender Loesungen werden aufgezeigt, die den Zugang zu Wohneigentum;
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in Gegenwart von O2 (z. B. in Luft) uber etwa 600 K erhitzt, werden die o. g. Donatoren durch Oxidation (Einbau von Sauerstoff in die Schicht, z. B;
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This thesis presents the SiGe source and drain (S/D) technology in the context of advanced CMOS, and;...
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No matter how you slice it, semiconductor devices power the communications revolution. Skeptical? Im;...
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CV-Messungen an Geatzten Epitaktisch Gewachsenen Schichten is een boek van Björn Hoffmann;...
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classes on silicon: Semiconductors such as undoped and doped Si and SiGe, SiC, GaN, and III-V arsenides and phosphides; dielectrics including;
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